本站 2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。
消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。
本站注意到，三星在去年曾计划使用 1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该 DRAM 属于第五代 10 纳米产品，主要用于 HBM3E。由于面临上述问题，三星曾计划改用 1a DRAM（1b DRAM 的前代产品）来生产 HBM3E 8H 和 12H，并计划跳过 1b DRAM，直接使用 1c DRAM 生产 HBM4。然而，由于英伟达坚持要求使用 1b DRAM，三星不得不重新调整计划。此次三星副董事长兼 DS 部门负责人 Young Hyun Jun 的访问，很可能是为了确保三星能够赢得英伟达的 HBM3E 订单。
目前，三星的竞争对手 SK 海力士已经向英伟达供应采用 1b DRAM 生产的 HBM3E 12H，美光也预计将在近期开始生产面向英伟达的人工智能加速器所需的 HBM。
上个月，三星曾表示其“改进版”HBM3E 的准备工作进展顺利，并计划于今年第二季度正式量产并供货。Young Hyun Jun 不仅是 DS 部门的负责人，还兼任该部门下的内存业务负责人，他作为 DRAM 领域的专家，被认为主导了 1b DRAM 的设计改进工作。
在 1 月份的 CES 展会上，英伟达首席执行官黄仁勋曾表示，三星需要重新设计其 HBM，以通过英伟达的资格认证。
